铬靶在半导体电子等领域的应用优缺点分析

铬靶材料的技术发展趋势与下游应用行业薄膜技术的发展趋势密切相关。 随着应用行业中薄膜产品或组件技术的进步，铬靶目标技术也应随之改变。

微电子领域：在所有应用行业中，半导体行业对目标溅射膜铬靶的质量要求较为严格。 现在，已经制造出12英寸（300插槽）的硅晶片。 但是，互连线的宽度正在减小。铬靶价格、铬靶批发制造商对铬靶的要求是大尺寸，高纯度，低偏析和细晶粒，这要求所制造的铬靶具有更好的微观结构。 铬靶的结晶粒径和均匀性被认为是影响膜沉积速率的关键因素。 另外，薄膜的纯度与靶材的纯度有很大的关系。 

过去，纯度为99.995％（4N5）的铜靶材可以满足铬靶价格、铬靶批发制造商对0.35pm工艺的需求，但不能满足当前0.25um工艺要求。 对于0.18um技术甚至0.13m工艺，要求的目标纯度须达到5甚至6N或更高。 与铝相比，铜具有更高的耐电迁移性和较低的电阻率。

铬靶导体技术需要低于0.25um的亚微米布线，但带来了其他问题：铜与有机介电材料之间的粘合强度低。 而且它很容易反应，导致芯片的铜互连在使用过程中被腐蚀和断开。 为了解决这些问题，需要在铜和电介质层之间设置阻挡层。 阻挡层材料通常使用具有高熔点和高电阻率的金属及其化合物。

铬靶生产厂家告诉你，势垒层的厚度要求小于50nm，并且对铜和电介质材料的粘附性能良好。 铜互连和铝互连的阻挡层材料不同。 需要开发新的目标材料。 铜互连阻挡层的目标材料包括Ta，W，TaSi，WSi等。但是Ta和W都是难熔金属。 生产相对困难。 如今，正在研究钼，铬靶等作为替代材料。

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